三星3nm芯片有望在2022 Q2量產(chǎn) 首次引入GAA工藝

三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動上，確認(rèn)在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，分為早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度開始使用3GAE制造工藝進(jìn)行大批量生產(chǎn)，在一份聲明中寫道：“這是世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)3nm GAA工藝來提高技術(shù)領(lǐng)先的地位?！?

據(jù)三星介紹，MBCFET多橋-通道場效應(yīng)晶體管工藝是其第一個使用的GAAFET工藝，作為一種全新的形式，不但保留了GAAFET工藝的優(yōu)點(diǎn)，而且兼容之前的FinFET工藝技術(shù)。使用其3GAE技術(shù)生產(chǎn)的256Mb GAAFET SRAM芯片時，可實現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低以及晶體管密度提高80%（包括邏輯和SRAM晶體管的混合）。

三星表示，除了功耗、性能和面積（PPA）上的改進(jìn)，隨著制程技術(shù)成熟，3nm工藝的良品率將會接近4nm工藝。不過鑒于過往這些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的問題，這次3nm工藝的性能和功耗實際情況如何還有待觀察。暫時還不清楚誰將成為三星3nm工藝的首家客戶，畢竟過渡到全新的晶體管工藝是存在一定風(fēng)險的，而且芯片設(shè)計人員需要開發(fā)全新的IP，價格并不便宜。

競爭對手之一的英特爾在Intel 7/4/3制程節(jié)點(diǎn)仍依賴FinFET，最早會在2024年才轉(zhuǎn)向新型晶體管（稱為RibbonFET）。另一個競爭對手臺積電在N4和N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET，要到N2制程節(jié)點(diǎn)才引入GAA工藝，大概會在2024年投入生產(chǎn)。