三星開發(fā)新一代顯存技術(shù) 可實(shí)現(xiàn)帶寬和容量翻倍

虛擬世界技術(shù)對(duì)高性能、高容量和高帶寬內(nèi)存的需求不斷增長(zhǎng)，為了滿足市場(chǎng)需求，三星開發(fā)了新一代“GDDR6W”，其作為業(yè)界首個(gè)下一代顯存技術(shù)，能有效提升帶寬和容量。

GDDR6W基于三星的GDDR6產(chǎn)品而來，而GDDR6自面世以來已經(jīng)有了顯著的改進(jìn)，去年7月，三星開發(fā)了24 Gbps GDDR6內(nèi)存，是目前業(yè)界最快的顯存。在此之上，GDDR6W的帶寬和容量增加了一倍，而尺寸則和GDDR6保持不變，由于尺寸不變，用于生產(chǎn)GDDR6的生產(chǎn)線也能快速轉(zhuǎn)變?yōu)樯a(chǎn)GDDR6W芯片，并且使用FOWLP技術(shù)，減少制造時(shí)間和成本。FOWLP技術(shù)可直接將內(nèi)存芯片安裝在硅片上，而不是印刷PCB電路板上，再應(yīng)用了RDL技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的布線模式，基于FOWLP技術(shù)的GDDR6W的高度為0.7毫米，比之前高度為1.1毫米的封裝薄36%，由于不涉及PCB，降低了封裝厚度，對(duì)散熱也有所改善。

GDDR6W可以在系統(tǒng)級(jí)支持HBM級(jí)別的帶寬，HBM2E擁有基于4K系統(tǒng)級(jí)I/O的1.6 TB/s的系統(tǒng)級(jí)帶寬，以及每引腳3.2 Gbps的傳輸速率。另一方面，GDDR6W基于512系統(tǒng)級(jí)I/O和每引腳22Gpbs的傳輸速率，可以達(dá)到1.4 TB/s的帶寬。而且，與HBM2E相比，GDDR6W將I/O數(shù)量減少了約1/8，也使成本效益得到進(jìn)一步提高。

三星電子存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)新業(yè)務(wù)規(guī)劃副總裁CheolMin Park表示:“通過將先進(jìn)的封裝技術(shù)應(yīng)用于GDDR6，GDDR6W提供了兩倍于類似尺寸封裝的存儲(chǔ)容量和性能?！敖柚鶪DDR6W，我們能夠培育出能夠滿足各種客戶需求的差異化內(nèi)存產(chǎn)品，這是我們鞏固市場(chǎng)領(lǐng)先地位的重要一步?！?

三星電子在今年第二季度完成了GDDR6W產(chǎn)品的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化，三星電子還宣布，將通過與顯卡廠商的合作，將GDDR6W的應(yīng)用擴(kuò)展到筆記本電腦等小尺寸設(shè)備以及用于人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用的新的高性能加速器。