真的是1TB 三星正在研發(fā)單條1TB DDR5內(nèi)存

為了支持英特爾和AMD下一代平臺(tái)，三星準(zhǔn)備推出一系列全新的DDR5內(nèi)存模塊，比如基于16Gb和24Gb的DDR5芯片的業(yè)界首款512GB RDIMM/LRDIMM。在近期三星和AMD的內(nèi)存研討會(huì)上，雙方探討了DDR5內(nèi)存技術(shù)上的新方向，同時(shí)三星透露了其DDR5的開發(fā)計(jì)劃。

三星計(jì)劃在2023年初，推出32Gb的DDR5芯片，使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊。32Gb DDR5芯片用于客戶端PC的首款產(chǎn)品是單條32GB內(nèi)存，大概在2023年末就能看到。三星DRAM規(guī)劃部門的工程師Aaron Choi表示，32Gb DDR5芯片目前正在一個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)（低于14nm）上進(jìn)行開發(fā)。

三星表示，一旦使用32Gb DDR5芯片的內(nèi)存在產(chǎn)量上與16Gb DDR5相當(dāng)，那么單面32GB的內(nèi)存價(jià)格將變得非常合理，即便用戶想為系統(tǒng)配備128GB內(nèi)存也不用花太多的錢。雖然內(nèi)存容量很重要，但對于那些發(fā)燒友來說，內(nèi)存的頻率也很重要，為此三星積極地提高DDR5內(nèi)存的頻率。

隨著英特爾和AMD下一代平臺(tái)的發(fā)布，DDR5內(nèi)存頻率將提高到5200MHz到5600MHz的區(qū)間。部分內(nèi)存廠商會(huì)制造6800MHz到7000MHz的高頻DDR5內(nèi)存，不過這需要提高電壓來實(shí)現(xiàn)。三星計(jì)劃到2025年，在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.1V電壓下，將DDR5的頻率提高到7200MHz或以上，不過沒有透露具體的產(chǎn)品什么時(shí)候出來，這意味著市面上可能會(huì)有10000MHz或以上頻率的DDR5內(nèi)存出售。