美商海盜船確認(rèn)DDR5內(nèi)存模組發(fā)熱量更大 需要更好的散熱措施

雖然在消費(fèi)級市場里，使用DDR5內(nèi)存的平臺還沒有到來，但各大廠商已經(jīng)在摩拳擦掌了。根據(jù)各個(gè)內(nèi)存廠商的數(shù)據(jù)，DDR5內(nèi)存的傳輸速率從6400 MT/s一直到12600 MT/s，相比DDR4內(nèi)存高了許多。那些極端的傳輸速率，很大程度上是通過DDR5內(nèi)存的板載電源管理IC（PMIC）和電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）實(shí)現(xiàn)的。

在過去許多年，內(nèi)存基本不需要專門的散熱模塊，過去除了一些高頻的DDR3和DDR4內(nèi)存以外，用戶還可以找到?jīng)]有“馬甲”的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)頻率內(nèi)存。到了DDR5內(nèi)存時(shí)代，內(nèi)存的散熱會變得復(fù)雜，或許簡單的散熱片也不那么容易滿足散熱需求了。

近日，美商海盜船（Corsair）的DIY市場營銷總監(jiān)George Makris在官方油管賬戶上就表示，由于電壓調(diào)節(jié)模塊從主板轉(zhuǎn)移到了內(nèi)存PCB上，DDR5內(nèi)存會比DDR4內(nèi)存更熱。美商海盜船內(nèi)存產(chǎn)品經(jīng)理Matt Woithe也重申了這點(diǎn)，并表示準(zhǔn)備使用美商海盜船獨(dú)家的雙路徑熱交換（DHX）來解決DDR5內(nèi)存模組的發(fā)熱問題。

在過去每一代DDR內(nèi)存上，電壓都在降低。DDR5內(nèi)存的電壓已低至1.1V，電壓調(diào)節(jié)模塊的作用巨大。另一方面，一些高端高頻的DDR5內(nèi)存，會通過增加電壓的方式提高頻率，比如威剛就表示速率為12600 MT/s的DDR5內(nèi)存的電壓為1.6V，這會大大增加內(nèi)存的發(fā)熱量。與此同時(shí)，DDR5內(nèi)存還具備ECC校驗(yàn)功能，極大地提高了穩(wěn)定性，不過美商海盜船沒有確認(rèn)這項(xiàng)功能是否會增加發(fā)熱量。

預(yù)計(jì)美商海盜船會在今年年末發(fā)布首批DDR5內(nèi)存，以迎接英特爾Alder Lake平臺。