突破MLC神話 金士頓UV400固態(tài)硬盤寫入超越3000PE

上圖中最直觀的寫入量信息是F1項主機寫入量總計，當(dāng)前為795892GB（換算后為777.24TB）。除了主機寫入量之外，金士頓UV400還提供了更細致的寫入量統(tǒng)計，包括E7項SLC NAND寫入量、E9項TLC NAND寫入量。閃存平均擦寫次數(shù)的計算方式是將E9項TLC NAND寫入量除以閃存RAW容量（256GB）,可得出當(dāng)前UV400的閃存平均擦寫次數(shù)達到3100次以上，達到了與MLC閃存一致的水平。

MLC一樣的耐久度證明了金士頓UV400 SSD的強大實力，PCEVA論壇中的用戶也一次次向金士頓投來了驚訝的目光和掌聲。

UV400耐久測試 數(shù)據(jù)震驚評測室

PCEVA論壇對金士頓UV400的耐久度測試中，以8MB區(qū)塊持續(xù)寫入數(shù)據(jù)的方式進行，以TLC閃存寫入量除以顆粒RAW容量獲得閃存平均擦寫次數(shù)。對于TLC固態(tài)硬盤來說，所有新寫入的數(shù)據(jù)都會首先進入SLC Cache當(dāng)中，并在整理歸并后釋放到TLC閃存當(dāng)中，以此提高寫入性能并降低寫入放大率。同時，如果在SLC Cache中的數(shù)據(jù)尚未釋放之前就被刪除，這部分數(shù)據(jù)將不會寫入到TLC閃存，從而節(jié)省不必要的閃存磨損，在耐久度測試當(dāng)中每當(dāng)寫滿SSD之后就需要刪除全部文件重新開始，所以我們能夠看到，UV400的TLC NAND寫入量略小于SLC NAND寫入量。