SK海力士全球首家量產(chǎn)HBM3E內(nèi)存 1秒處理超1TB數(shù)據(jù)

英偉達GTC 2024大會正在火熱舉行中，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

采用臺積電4NP工藝制程，配備192 HBM3E內(nèi)存，共有2080億個晶體管，大語言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。

隨后SK海力士發(fā)布公告稱，其最新的超高性能AI內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E已開始量產(chǎn)，并將從本月下旬起向客戶供貨。

據(jù)介紹，在存儲半導(dǎo)體三大巨頭（三星電子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家實現(xiàn)量產(chǎn)HBM3E供應(yīng)商。

HBM3E每秒可處理1.18TB數(shù)據(jù)，相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清（FHD）級電影。

在散熱方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技術(shù)，散熱性能較上一代產(chǎn)品提高了 10%，從而在散熱等所有方面都達到了全球最高水平。

SK海力士高管表示：“公司通過全球首次HBM3E投入量產(chǎn)，進一步強化了領(lǐng)先用于AI的存儲器業(yè)界的產(chǎn)品線。”

其還表示，公司積累的HBM業(yè)務(wù)成功經(jīng)驗，將進一步夯實與客戶的關(guān)系，并鞏固全方位人工智能存儲器供應(yīng)商的地位。