英特爾將在美國成立半導體制造中心 投資上千億美元建造一座小城

自從英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）在今年3月底公布了IDM 2.0戰(zhàn)略，確定組建英特爾代工服務事業(yè)部（IFS）以來，英特爾不但在原有的晶圓廠基礎上進行擴建，而且還尋找新址建造全新的晶圓廠，以擴大產能規(guī)模滿足未來的代工需求。

英特爾首先投資約200億美元，在美國亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠，隨后又投資35億美元，對位于新墨西哥州的晶圓廠進行升級。接著帕特-基爾辛格又與歐盟官員會面，討論建立新的半導體生產設施的可能性，選址暫定在德國巴伐利亞州慕尼黑附近的一個廢棄空軍基地，目標是建造一個擁有八座晶圓廠，價值1000億美元的半導體制造基地，并打造垂直整合的半導體供應鏈。英特爾還在以色列也投資了100億美元建設一座新的晶圓廠，第一階段的建設已經開始。

近日，帕特-基爾辛格在接受《華盛頓郵報》采訪的時候表示，英特爾將在今年年底之前決定下一個位于美國的半導體制造中心的確切位置，很可能會在大學附近，方便招募人才。該制造基地會擁有6到8個半導體制造模塊，使用英特爾最先進的制造技術（4nm或3nm工藝）和芯片封裝（比如EMIB和Foveros封裝技術）設施，而且會有一座專用的發(fā)電廠。

每個半導體制造模塊的成本會在100億至150億美元之間，因此未來十年英特爾對這個半導體制造中心的投資最低也有600億美元，最高可達1200億美元。帕特-基爾辛格表示目前計劃是投資1000億美元，創(chuàng)造10000個直接就業(yè)機會，加上帶動的10萬個周邊工作崗位，本質上其目標就是建造一座小城市。