國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世！多項實測數(shù)據(jù)首次公開

2020年7月中旬JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布DDR5 SDRAM內(nèi)存標準規(guī)范后，DDR5新技術(shù)應用受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注以及專業(yè)領(lǐng)域的探索。

江波龍電子今天正式發(fā)布Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）。涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

此外，部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾公開。其中，展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB 6400內(nèi)存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù)。

（通過BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道）

1、魯大師測試數(shù)據(jù)

首先呈現(xiàn)的是硬件配置，內(nèi)存識別為Longsys ID。

通過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有余。

2、AIDA64測試數(shù)據(jù)

通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，Longsys DDR5在性能上實現(xiàn)了跨越式提升。

核心指標揭秘

糾錯能力增加

在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼（ECC），全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力，進一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術(shù)應用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應，讓信號傳輸更加純凈。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁面同時被打開。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根據(jù)標準還實現(xiàn)了一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。

未來的應用場景不斷革新和進步，對存儲技術(shù)提出了更嚴苛的要求，亦大大加速了DDR5發(fā)展進程，各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。

據(jù)悉，Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應用領(lǐng)域，比如服務器、云計算、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機等應用領(lǐng)域均有望得到重點部署，此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。

截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數(shù)達到838個，其中境外專利申請178項；已授權(quán)且維持有效專利411項、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項；軟件著作權(quán)65項。

據(jù)悉，今年Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線仍將精益求精，持續(xù)提供更多的DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務。