您的位置: 首頁 > 新聞 > 電腦配件 > 新聞詳情

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

時間:2021-03-16 14:52:51
  • 來源:快科技
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:亂走位的奧巴馬

2020年7月中旬JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布DDR5 SDRAM內(nèi)存標準規(guī)范后,DDR5新技術(shù)應用受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注以及專業(yè)領(lǐng)域的探索。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

江波龍電子今天正式發(fā)布Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1)。涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

此外,部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾公開。其中,展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板,搭配Longsys DDR5 32GB 6400內(nèi)存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù)。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

(通過BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道)

1、魯大師測試數(shù)據(jù)

首先呈現(xiàn)的是硬件配置,內(nèi)存識別為Longsys ID。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

通過魯大師測試,Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有余。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

2、AIDA64測試數(shù)據(jù)

通過測試,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度,還加入了DDR4的測試對比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,Longsys DDR5在性能上實現(xiàn)了跨越式提升。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

核心指標揭秘

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

糾錯能力增加

在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼(ECC),全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力,進一步提高數(shù)據(jù)完整性,同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術(shù)應用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能,增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此,Longsys DDR5內(nèi)存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應,讓信號傳輸更加純凈。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍,并且每個Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,加倍提高了系統(tǒng)的整體效率,允許更多頁面同時被打開。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根據(jù)標準還實現(xiàn)了一個新特性,稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank,使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。

國產(chǎn)Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世!多項實測數(shù)據(jù)首次公開

未來的應用場景不斷革新和進步,對存儲技術(shù)提出了更嚴苛的要求,亦大大加速了DDR5發(fā)展進程,各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。

據(jù)悉,Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應用領(lǐng)域,比如服務器、云計算、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機等應用領(lǐng)域均有望得到重點部署,此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。

截止2021年3月12日,Longsys申請專利總數(shù)達到838個,其中境外專利申請178項;已授權(quán)且維持有效專利411項、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項;軟件著作權(quán)65項。

據(jù)悉,今年Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線仍將精益求精,持續(xù)提供更多的DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務。

0

玩家點評 0人參與,0條評論)

收藏
違法和不良信息舉報
分享:

熱門評論

全部評論

他們都在說 再看看
3DM自運營游戲推薦 更多+