希捷預(yù)告120TB機(jī)械硬盤：全新介質(zhì) 單碟容量達(dá)10TB

這些年，機(jī)械硬盤容量的提升速度十分緩慢，大有被SSD全面趕超的趨勢(shì)，不過(guò)每個(gè)季度，希捷、西部數(shù)據(jù)都會(huì)更新路線圖，展望機(jī)械硬盤在技術(shù)、容量上的發(fā)展趨勢(shì)，尤其是希捷。

近日，希捷更是公布了詳細(xì)的未來(lái)技術(shù)路線圖，計(jì)劃在2026年左右達(dá)到50TB左右，2030年則可以超過(guò)120TB。

機(jī)械硬盤最近幾年普遍基于PMR(垂直存儲(chǔ)技術(shù))，但即便經(jīng)過(guò)各種優(yōu)化加強(qiáng)，也已經(jīng)逼近極限，新的存儲(chǔ)技術(shù)、機(jī)械結(jié)構(gòu)迫在眉睫。

比如希捷研發(fā)近20年的HAMR(熱輔助磁記錄)，終于已經(jīng)開(kāi)花落地，去年底交付了20TB HAMR硬盤，同時(shí)新的多傳動(dòng)器(Muti-Actuator)結(jié)構(gòu)也已經(jīng)基本成熟，二者結(jié)合可讓機(jī)械硬盤的容量跨上新臺(tái)階，2026年達(dá)到50TB就靠它們了。

類似未來(lái)的半導(dǎo)體工藝制程，要想實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步的突破，全新的存儲(chǔ)介質(zhì)、材料是必不可少的。

對(duì)此，希捷也有長(zhǎng)遠(yuǎn)的規(guī)劃，首先是所謂的“顆粒介質(zhì)”(Granular)，可以讓存儲(chǔ)密度達(dá)到4-6Tb每平方英寸，3.5寸硬盤能夠藉此做到90TB左右。

接下來(lái)是進(jìn)化版的“有序顆粒介質(zhì)”(Ordered-Granular)，存儲(chǔ)密度進(jìn)一步提升到5-7Tb每平方英寸，3.5寸硬盤可繼續(xù)擴(kuò)大到105TB左右。

更遙遠(yuǎn)的是“比特晶格介質(zhì)”(Bit Patterned)，存儲(chǔ)密度將能夠突破8TB每平方英寸，120TB乃至更大容量就靠它了。

這個(gè)目標(biāo)計(jì)劃在2030年落地，而到那時(shí)候，單碟容量將達(dá)到10TB，而目前只有2TB多一點(diǎn)。

但即便如此，120TB也需要多達(dá)12張碟片，而目前的極限是9張，顯然在硬盤封裝技術(shù)上，也需要有所突破。

至于SSD徹底取代機(jī)械硬盤，希捷不敢茍同，而是認(rèn)為二者都有各自的價(jià)值，各有所長(zhǎng)，都會(huì)不斷進(jìn)化，是一種相輔相成的關(guān)系。

機(jī)械硬盤未來(lái)仍有自己的突出優(yōu)勢(shì)，尤其是在TCO總擁有成本方面，比如在大型云數(shù)據(jù)中心，90％的容量都是機(jī)械硬盤。