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臺積電今明兩年將接收超60臺EUV光刻機 投入超過123億美元

時間:2024-06-30 22:04:25
  • 來源:超能網
  • 作者:呂嘉儉
  • 編輯:豆角

按照臺積電(TSMC)的安排,將在2nm制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,同時制造過程仍依賴于極紫外(EUV)光刻技術,計劃2025年進入大批量生產階段,客戶在2026年就能收到首批采用N2工藝制造的芯片。

臺積電今明兩年將接收超60臺EUV光刻機 投入超過123億美元

據(jù)Trendforce報道,有報告顯示,臺積電正在積極安裝對于先進工藝至關重要的EUV光刻機,以應付2nm工藝的量產,今年和明年將接收超過60臺EUV光刻機,投入的資金額超過4000億新臺幣(約合123億美元/人民幣894億元)。

隨著ASML不斷擴大產能,預計2025年EUV光刻機的交付量將增長30%以上,臺積電也會因此受益。去年ASML為了響應客戶的需求計劃增產,明年的EUV光刻機交付量會有明顯增長,預計今年為53臺,明年增至72臺以上。據(jù)了解,ASML在2025年的目標產能為90臺EUV光刻機、600臺DUV光刻機、以及20臺High-NA EUV光刻機。

EUV光刻機的供應一直很緊張,交貨時間在16至20個月之間,2024年的訂單大部分要到2025年才能交付。傳聞臺積電2024年訂購了30臺EUV光刻機,2025年為35臺。不過由于臺積電可能會對資本支出計劃進行調整,這些數(shù)字最終會略有變化。此外,臺積電有望在今年某個時候接受到最新的High-NA EUV光刻機。

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