上海微系統(tǒng)所：國(guó)內(nèi)首片300mmSOI晶圓制備完成

IT之家10月20日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所消息，上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)近日宣布，在300mmSOI晶圓制造技術(shù)方面已取得突破性進(jìn)展，制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓。

據(jù)悉，相關(guān)科研團(tuán)隊(duì)基于集成電路材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室300mmSOI研發(fā)平臺(tái)，依次解決了300mmRF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應(yīng)力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)300mmSOI制造技術(shù)從無到有的重大突破。

為了制備適用于300mmRF-SOI的低氧高阻襯底，團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了耦合橫向磁場(chǎng)的三維晶體生長(zhǎng)傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對(duì)硅熔體內(nèi)對(duì)流和傳熱傳質(zhì)的影響機(jī)制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運(yùn)機(jī)制，相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級(jí)期刊上。

官方表示，多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系。

此外，由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。團(tuán)隊(duì)為制造適用于300mmRF-SOI晶圓的多晶硅層找到了合適的工藝窗口，實(shí)現(xiàn)了多晶硅層厚度、晶粒尺寸、晶向和應(yīng)力的人工調(diào)節(jié)。