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國(guó)內(nèi)首款存算一體智駕芯片鴻途H30發(fā)布 12nm工藝35W功耗

時(shí)間:2023-05-15 16:46:49
  • 來(lái)源:官方
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:liyunfei

近日后摩智能發(fā)布國(guó)內(nèi)首款存算一體智駕芯片鴻途H30,最高物理算力256TOPS,典型功耗35W,12nm工藝制造。

國(guó)內(nèi)首款存算一體智駕芯片鴻途H30發(fā)布 12nm工藝35W功耗

鴻途H30基于SRAM存儲(chǔ)介質(zhì),采用數(shù)字存算一體架構(gòu),擁有極低訪存功耗和超高計(jì)算密度,Int8數(shù)據(jù)精度下,其AI核心IPU能效比達(dá)15Tops/W,是傳統(tǒng)架構(gòu)芯片7倍以上。此外鴻途H30還支持PCIe 4.0,支持EP或者RC模式,外擴(kuò)內(nèi)存最高可達(dá)128GB。

國(guó)內(nèi)首款存算一體智駕芯片鴻途H30發(fā)布 12nm工藝35W功耗

鴻途H30已成功運(yùn)行CV類的經(jīng)典網(wǎng)絡(luò),以及自動(dòng)駕駛領(lǐng)域先進(jìn)的BEV、Pointpillar等模型。后摩智能創(chuàng)始人兼CEO吳強(qiáng)表示:“存算一體架構(gòu)將存儲(chǔ)和計(jì)算功能融合,比傳統(tǒng)架構(gòu)更接近人腦的計(jì)算方式,具備遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式的計(jì)算效率?!?

國(guó)內(nèi)首款存算一體智駕芯片鴻途H30發(fā)布 12nm工藝35W功耗

官方表示,存算一體芯片具備四大優(yōu)勢(shì),包括強(qiáng)大的AI算力、高能效比、低延時(shí)及敏捷開(kāi)發(fā)等,AI計(jì)算數(shù)據(jù)處理時(shí)延相較傳統(tǒng)芯片減少2倍以上,適用各類時(shí)延敏感型場(chǎng)景。同時(shí)提供強(qiáng)大且開(kāi)放易用的工具鏈,支持TensorFlow,PyTorch,ONNX和第三方自定義的框架,極大提高開(kāi)發(fā)效率。

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