臺積電宣布3nm工藝2021年風(fēng)險量產(chǎn) 晶體管密度提升70%

臺積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，今年要量產(chǎn)5nm工藝了，已經(jīng)被華為、蘋果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能，現(xiàn)在3nm工藝也定了，官方宣布2021年風(fēng)險量產(chǎn)，2020年下半年正式量產(chǎn)。

此外，臺積電還透露了3nm工藝的技術(shù)指標(biāo)，相比今年的5nm工藝，3nm工藝的晶體管密度提升15%，性能提升10-15%，能效提升20-25%。

之前傳聞臺積電在3nm節(jié)點(diǎn)會放棄FinFET晶體管工藝轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管，不過最新消息稱臺積電研發(fā)成功2nm工藝，使用的是GAA晶體管技術(shù)，這意味著臺積電3nm節(jié)點(diǎn)還會采用傳統(tǒng)的FinFET工藝。

據(jù)外媒報道，臺積電將如期推出iPhone和iPad的蘋果A16芯片，該芯片將采用臺積電的3nm工藝，并于2022年上市。