Intel連發(fā)四款TLC SSD 閃存顆粒為16nm TLC NAND

  新一代服務(wù)器處理器Broadwell-EP Xeon E5-2600 v4系列發(fā)布的同時(shí)，Intel還推出了面向企業(yè)級(jí)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的高性能固態(tài)硬盤，包括首次使用3D NAND立體堆疊閃存的SSD DC P3320/P3520系列、首次支持NVMe協(xié)議的雙口PCI-E SSD DC P3700/D3600系列(HET MLC閃存)。

  現(xiàn)在，Intel又一口氣推出了多達(dá)四個(gè)系列的TLC閃存固態(tài)硬盤，這也是Intel第一次引入TLC。這樣，目前絕大多數(shù)固態(tài)硬盤品牌都已經(jīng)用上了TLC，勢(shì)不可擋。

  四大新固態(tài)硬盤本身的產(chǎn)品規(guī)格相差不大，主要是面向市場(chǎng)不同：SSD 540s針對(duì)一般消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)；SSD Pro 5400s面向高性能和安全應(yīng)用；DC S3100自然是適合中小企業(yè)或者小型數(shù)據(jù)中心；SSD E 5400s則是給嵌入式、IoT物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的。

  它們的閃存顆粒，都是Intel與美光合資出品的16nm TLC NAND。

  SSD 540s、SSD Pro 5400s均提供2.5寸(7毫米)、M.2兩種規(guī)格，容量則都有120GB、180GB、240GB、360GB、480GB、1000GB六種可選，其M.2 1000GB是雙面的。

  由于走的都是SATA 6Gbps傳輸通道，性能也是相同的，持續(xù)讀寫最高560MB/s、480MB/s，隨機(jī)讀寫最高78000 IOPS、85000 IOPS。

  平均故障間隔時(shí)間160萬小時(shí)，支持AES-256硬件加密。典型空閑功耗50/40mW(2.5寸/M.2下同)，運(yùn)行功耗90/80mW，深度休眠功耗5/3mW，相當(dāng)之低。

  SSD DC S3100只有2.5寸款，而且為了穩(wěn)定而限制了規(guī)格，容量120GB、240GB、480GB、1TB，持續(xù)讀寫最高535MB/s、118MB/s，隨機(jī)讀寫最高59000 IOPS、4700 IOPS。