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Intel、美光宣布全球最先進20nm閃存工藝

時間:2011-04-15 13:51:44
  • 來源:NAND
  • 作者:batyeah
  • 編輯:ChunTian

雖然25nm NAND工藝進展不順,但技術(shù)前進的腳步永遠不會停歇,Intel、美光今天又聯(lián)合宣布了最先進的20nm工藝。

20nm工藝依然由Intel、美光聯(lián)合投資的IM Flash Technologies(IMFT)負責制造,可以生產(chǎn)出容量達64Gb(或者說8GB)的MLC NAND閃存顆粒,而且核心面積僅僅118平方毫米,相比25nm 8GB NAND閃存減小30-40%。

Intel宣稱,閃存工藝從25nm進步到20nm之后,所能提供的容量可比現(xiàn)有34nm工藝增加大約50%,同時20nm工藝閃存顆粒的性能和耐用性仍會維持在與25nm類似的水平上。

IMFT 20nm 8GB NAND閃存顆粒已經(jīng)試產(chǎn),預(yù)計2011年下半年投入量產(chǎn)。屆時,Intel、美光將會一方面拿出容量翻番的16GB顆粒,另一方面公布面積跟一張郵票差不多大小的128GB固態(tài)硬盤。

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