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三星將在日本建造先進(jìn)半導(dǎo)體封裝研發(fā)基地 投資總額達(dá)到400億日元

時間:2023-12-22 19:46:27
  • 來源:超能網(wǎng)
  • 作者:呂嘉儉
  • 編輯:豆角

近兩年來,封裝和測試設(shè)施越來越受到重視,技術(shù)層面的研究也變得更加深入。為了適應(yīng)新一代芯片的制造要求,不少晶圓代工廠都在加快配套的先進(jìn)設(shè)施建設(shè),并加大相關(guān)技術(shù)的研究,投資規(guī)模也越來越大。

三星將在日本建造先進(jìn)半導(dǎo)體封裝研發(fā)基地 投資總額達(dá)到400億日元

據(jù)Business Korea報道,三星計劃在日本橫濱建造先進(jìn)半導(dǎo)體封裝研發(fā)基地,一方面期待未來通過3D堆疊提高芯片性能,另一方面會將研究重點放在人工智能和第5代移動通信網(wǎng)絡(luò)的半導(dǎo)體封裝處理技術(shù)上。

三星之所以選擇在日本打造先進(jìn)封裝研究中心,與供應(yīng)鏈的合作是關(guān)鍵。目前三星正在與日本的材料及設(shè)備企業(yè)共同開發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù),其中包括世界第四大半導(dǎo)體設(shè)備制造商東京電子(TEL)以及佳能、TDK和村田制作所等知名公司。此外,三星還計劃至2027年底,在當(dāng)?shù)仄赣?00多名半導(dǎo)體專家。

據(jù)了解,三星最初計劃投資300億日元,不過在日本政府的積極勸說及加大補助的承諾下,三星將投資總額提高至400億日元,其中政府補貼占了一半,達(dá)到了200億日元。日本政府希望以三星的投資為契機,吸引更多國外的投資,提高自身半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭力。

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