英特爾或在2025年奪回制程技術(shù)領(lǐng)先地位 Intel 18A工藝研發(fā)正在加速

英特爾在去年七月份的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，以驅(qū)動英特爾到2025年乃至更遠(yuǎn)未來的新產(chǎn)品開發(fā)。除了公布其近十多年來首個(gè)全新晶體管架構(gòu)RibbonFET和業(yè)界首個(gè)全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外，英特爾還重點(diǎn)介紹了迅速采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計(jì)劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV，并將部署業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機(jī)。

英特爾最新工藝路線圖看起來是非常積極的，這是一個(gè)四年內(nèi)推進(jìn)五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。雖然帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）回歸英特爾擔(dān)任CEO以后，藍(lán)色巨人的表現(xiàn)有所起色，但鑒于過去多年來的羸弱表現(xiàn)，不少人對這份工藝路線圖持保留態(tài)度。近日，半導(dǎo)體咨詢公司IC Knowledge的總裁Scotten Jones為SemiWiki撰寫了一篇文章，談及了自己對英特爾的計(jì)劃從懷疑到獲得信心的過程。

Scotten Jones分析了英特爾、臺積電和三星未來幾年可能的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)情況，認(rèn)為英特爾隨著更多地使用極紫外（EUV）光刻設(shè)備，加上在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)，將會有一個(gè)巨大的突破。預(yù)計(jì)2024年末（最初的說法是2025年初）英特爾將推出對RibbonFET改進(jìn)后的Intel 18A，那么很可能在2025年壓倒臺積電的N2制程節(jié)點(diǎn)，取得每瓦性能的領(lǐng)先。