傳臺(tái)積電N3E工藝進(jìn)展順利 量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)提前
時(shí)間：2022-03-06 21:41:59
- 來(lái)源：集微網(wǎng)
- 作者：集微網(wǎng)
- 編輯：豆角
據(jù)科技網(wǎng)站elchapuzas報(bào)道，投行摩根斯坦利日前走訪半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，得知臺(tái)積電即將完成其改進(jìn)版3納米工藝N3E的開(kāi)發(fā)，最早將于本月底實(shí)現(xiàn)工藝規(guī)范凍結(jié)，基于N3E工藝的產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)或?qū)⒃?023年第二季度實(shí)現(xiàn)，較此前規(guī)劃提早一個(gè)季度。
其他信息還包括：N3E工藝試產(chǎn)良率遠(yuǎn)高于N3B，在減少4層EUV掩膜的情況下，邏輯電路密度僅較原先的N3工藝下降8%，較5納米節(jié)點(diǎn)仍有60%的提升。
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