臺積電：半導(dǎo)體短缺狀況預(yù)計(jì)2-3年后才能解決

2月28日新消息，據(jù)報(bào)道臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理米玉杰日前表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短缺情況，需要 2-3 年時(shí)間，待新晶圓廠加入生產(chǎn)后才能解決，且與 2 年前相比，現(xiàn)在對未來需求的掌握度清晰許多。

米玉杰在對先進(jìn)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)開發(fā)與制造貢獻(xiàn)良多，成功開發(fā)出 90 納米、40 納米及 28 納米技術(shù)，而后更率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā) 16 納米、7 納米、5 納米、3 納米等更先進(jìn)的制程技術(shù)。

他認(rèn)為最重要的挑戰(zhàn)之一，是確定每項(xiàng)技術(shù)的選擇，這些技術(shù)將為臺積電客戶帶來最大價(jià)值，并在可預(yù)期時(shí)間內(nèi)提供解決方案，并指出即將推出的 3 納米將在 5 納米推出的 2 年半后接替該制程技術(shù)，也就是在今年問世，目前也同時(shí)正進(jìn)行 2 納米技術(shù)開發(fā)。

米玉杰提到，目前制程技術(shù)已推進(jìn)到接近原子尺度，每一代新的制程，都必須在電晶體架構(gòu)、材料、制程與工具上找到新方法，而且需要更多優(yōu)秀工程師參與其中，并認(rèn)為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)錯(cuò)失需求成長的訊號，需要投入大量資金來建置新產(chǎn)能，預(yù)計(jì)需要2-3 年時(shí)間后，待晶圓代工新產(chǎn)能上線后方能解決半導(dǎo)體短缺的情況。