與時(shí)俱進(jìn) 臺(tái)積電將建設(shè)全球首個(gè)3納米芯片工廠(chǎng)

據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電周一宣布，將建造全球首個(gè)支持3納米制造工藝的芯片工廠(chǎng)。

臺(tái)積電對(duì)于3納米生產(chǎn)線(xiàn)的討論已有一段時(shí)間。最近傳聞顯示，臺(tái)積電有可能在美國(guó)建造這家工廠(chǎng)，以迎合美國(guó)總統(tǒng)特朗普將高端制造業(yè)帶回美國(guó)的計(jì)劃。

不過(guò)根據(jù)《電子時(shí)報(bào)》的報(bào)道，臺(tái)積電明確表示，希望在臺(tái)南科技園建設(shè)這處工廠(chǎng)，以“充分利用公司現(xiàn)有的集群優(yōu)勢(shì)”。在臺(tái)灣建設(shè)新工廠(chǎng)也將使臺(tái)積電受益于“全面的供應(yīng)鏈”。

目前臺(tái)積電正在同一地點(diǎn)運(yùn)營(yíng)5納米工廠(chǎng)，因此這樣的選址是合理的。盡管臺(tái)積電尚未開(kāi)始量產(chǎn)5納米芯片，但該公司網(wǎng)站顯示，“計(jì)劃從2019年第二季度啟動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)”。

與此同時(shí)，IBM已經(jīng)成功制造了5納米芯片。IBM于今年6月表示，在GAAFET場(chǎng)效應(yīng)管中使用了硅納米片。對(duì)于5納米工藝，臺(tái)積電將繼續(xù)采用7納米的FinFET技術(shù)。

盡管GAAFET技術(shù)可以支持3納米芯片，但I(xiàn)BM并未公布這樣的計(jì)劃。臺(tái)積電有望率先生產(chǎn)出3納米芯片。

臺(tái)積電周一還宣布，創(chuàng)始人及董事長(zhǎng)張忠謀將于2018年6月年度股東大會(huì)之后卸任所有領(lǐng)導(dǎo)崗位。張忠謀現(xiàn)年86歲。他表示，退休是由于個(gè)人和家庭原因，并向投資者保證，領(lǐng)導(dǎo)權(quán)轉(zhuǎn)移不會(huì)給臺(tái)積電造成改變。

張忠謀于1987年創(chuàng)立臺(tái)積電。在他退休之后，劉德音將擔(dān)任臺(tái)積電董事長(zhǎng)，魏哲家將擔(dān)任公司的唯一CEO。