SanDisk宣布下一代iNAND嵌入式閃存

巴塞羅那的WMC 2011世界通信大會(huì)上，SanDisk宣布了下一代iNAND、iNAND Ultra嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器(EFD)，封裝體積更加小巧。

SanDisk的新一代iNAND嵌入式閃存芯片采用24nm新工藝制造，結(jié)合新的封裝技術(shù)，封裝體積減少到僅僅13×11.5×1.0毫米，iNAND EFD驅(qū)動(dòng)器封裝尺寸則是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的12×16毫米，更適合打造輕薄型智能手機(jī)、平板機(jī)產(chǎn)品，容量最大8GB。

iNAND EFD基于SanDisk X3 NAND閃存技術(shù)，每單元存儲(chǔ)三比特?cái)?shù)據(jù)，iNAND Ultra EFD則基于X2 MLC NAND閃存技術(shù)，容量最少2GB，最大64GB，而上代產(chǎn)品最大才不過16GB。

SanDisk將從2011年第三季度開始出貨新一代iNAND嵌入式閃存芯片和驅(qū)動(dòng)器。