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2025下半年 三星將使用中國(guó)存儲(chǔ)專利技術(shù)生產(chǎn)芯片

時(shí)間:2025-02-27 10:01:50
  • 來源:Steam
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:方形的圓

快科技2月27日消息,據(jù)國(guó)外媒體最新消息稱,三星將在今年下半年,開始使用中國(guó)存儲(chǔ)專利技術(shù)生產(chǎn)相應(yīng)的芯片。

2025下半年 三星將使用中國(guó)存儲(chǔ)專利技術(shù)生產(chǎn)芯片

近期,三星電子已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”技術(shù)的專利許可協(xié)議。

按照消息人士的說法,三星計(jì)劃于2025年下半年量產(chǎn)下一代V10 NAND,將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。

三星之所以選擇向長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲取“混合健合”專利授權(quán),主要由于目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評(píng)估認(rèn)為,從下一代V10 NAND開始,其已經(jīng)無法再避免長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利的影響。

對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)來說,這確實(shí)是振奮人心的消息,畢竟大家從落后一直到趕超,這也從側(cè)面反映了中國(guó)科技自主創(chuàng)新的成果。

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